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반도체 배선 박막 증착 기술 개발
  • 반도체 FEOL/BEOL용 공정개발에 사용되는 sputtering 장비와 etching 장비 그리고 박막의 분석 및 평가를 위한 측정기기들을 갖추고 있고, 고객사와 공동 개발
  • 20nm급 DRAM, 18nm급 Flash 메모리 그리고 14nm급 시스템 반도체의 새로운 배선 재료 개발
    • Metals (금속박막) : Al, Cu, Ta, Ti, W, Mo, Carbon etc.
    • Nitrides (질화물 박막) : TiN, TaN, WN etc.
    • Metal Oxides (산화물 박막) : Ta2O5, Al2O3
  • 차세대 Integration Process 개발을 위한 In-situ sputtering & CVD 공정
반도체 자연 산화막 제어 기술 개발
  • 현재 SiOx, SiNx 및 Poly-Si 박막에 대해 높은 selectivity 특성을 갖는 공정 장비의 개발을 통해 DRAM, FLASH 공정에서의 양산 적용 검증과 함께 차세대 device에 대한 신규 장비&공정 개발
Entron-EX2 W300
(Sputtering system)
RISE-300
(Batch system to remove native oxide)

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